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止为潭渊深动作涛澜起澜起科技创业小史(3)
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摘要：此外，公司拓展布局 DDR5 服务器内存模组所需配套芯片的研发，包括电源管理芯片(PMIC)、 温度传感器（TS）、串行检测芯片（SPD），力争为客户提供一站式
此外，公司拓展布局 DDR5 服务器内存模组所需配套芯片的研发，包括电源管理芯片(PMIC)、 温度传感器（TS）、串行检测芯片（SPD），力争为客户提供一站式的综合解决方案，有效拓展公司可销售产品的市场容量，加强公司综合竞争优势。
其中，澜起研发的DDR5 RCD（寄存时钟驱动器）芯片支持相互独立的双通道内存架构，进一步扩大了内存系统容量并实现了更低功耗。该芯片可作为中央缓冲器单独用于RDIMM内存模组。DDR5内存模组缓冲套片用于LRDIMM（减载双列直插内存模组）。相比DDR5 RDIMM，LRDIMM在DDR5双通道架构基础上使用DB芯片对所有数据通路进行了隔离或缓冲，从而进一步减轻了内存总线的负载，提高了信号的完整性，满足各类数据密集型应用对数据中心内存系统的严苛要求。
内存接口芯片的发展演变情况资料来源：澜起科技股份有限公司 2019年年度报告摘要内存接口芯片世代 技术特点主要厂商 研发时间跨度DDR2 最低可支持1.5V工作电压 TI（徳州仪器 ）、英特尔、西门子、Inphi、澜起科技、IDT等 2004年—2008年DDR3 最低可支持1.25V工作电压，最高可支持1866 MT/s的运行速率 Inphi、IDT、澜起科技、Rambus、TI（德州仪器）等 2008年—2014 年DDR4 最低可支持1.2V工作电压，最高可支持3200MT/s的运行速率 澜起科技、IDT、Rambus 2013年—2017年DDR5 最低可支持1.1V工作电压，可实现4800MT/s的运行速率，并在此产品基础上，继续研发5600MT/s，6400MT/s 的产品澜起科技、瑞萨电子（原IDT)、Rambus 2017年至今
澜起DDR5列表资料来源： No.描述 应用M88DR5DB01 DDR5数据缓冲器（DB）芯片 DDR5 LRDIMM M88DR5RCD01 DDR5 寄存时钟驱动器（RCD）芯片 DDR5 RDIMM 和 LRDIMM
着眼更具竞争力的未来
根据澜起2019年年度报告摘要，公司实现主营业务收入超过17.3亿元，较上年下降 1.13%，其中内存接口芯片收入超过17.2亿元，较上年下降1.56%，津逮服务器平台在公司营收中开始贡献力量，收入1,627.62万元，较上年增长80.61%；归属于上市公司股东的净利润超过9亿元，较上年增长 26.60%。分季度来看，2019年第三季度、2019年第四季度，澜起科技的营收均出现了同比下滑的情况，其中第四季度的营收更是同比下滑30.23%。
但值得注意的是，公司的归母净利润并未跟随营收同步下滑，相反，前述两个季度，澜起科技实现的归母净利润分别同比增长18.64%以及9.1%。这也意味着，尽管营收在下滑，但公司产品的毛利率仍在提升。而伴随着“新基建”建设，云计算以及数据中心建设将带动服务器市场发展，澜起科技的内存接口芯片和服务器平台都将具备较大市场发展空间。
除了原有主要产品业务，澜起还加大了在人工智能芯片领域的开拓。2019年，澜起科技已经初步完成了人工智能相关芯片架构定义和技术可行性研究。建立了人工智能算法研究与评估软件环境，并完成了多个人工智能算法的运行验证。
不难看出，澜起通过研发DDR5芯片，保持在内存接口芯片领域的技术先进性；通过加大研发投入，推动津逮服务器平台、人工智能芯片等相关产品实现量产，进而摆脱业务单一带来的风险。
杨崇和认为，国内芯片设计业必定要走向高端，加入“主力舰队”。这就更得踏实做事。否则，哪怕落后半步，就会错过一个“航次”，失去整整一代产品的机会，只好眼巴巴等上三四年。相信耐心和踏实的澜起，会抓住每一次机会，有一个更有竞争力的未来。
文章来源：《科技创业月刊》 网址: http://www.kjcyyk.cn/qikandaodu/2021/0223/536.html